SQ4401EY-T1_GE3
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產(chǎn)品型號 | SQ4401EY-T1_GE3 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Last Time Buy | FET Type | P-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4250 pF @ 20 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 7.14W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SOIC |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
SQ4401EY-T1_GE3 相關(guān)的關(guān)鍵詞
SQ4401EY-T1_GE3是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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