SIDR680DP-T1-GE3
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Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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| 產品型號 | SIDR680DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 產品介紹 | MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK 我們努力為客戶提供 Vishay / Siliconix品牌的產品SIDR680DP-T1-GE3 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32.8A (Ta), 100A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 20A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5150 pF @ 40 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK? SO-8DC |
| Package / Case | PowerPAK? SO-8 |
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