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TPH5200FNH,L1Q

TPH5200FNH,L1Q
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產品型號 TPH5200FNH,L1Q
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產品介紹 MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)78W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP Advance (5x5)
Package / Case8-PowerVDFN

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