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IQE013N04LM6ATMA1

IQE013N04LM6ATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IQE013N04LM6ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 205A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 51μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3900 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 107W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TSON-8-4
Package / Case8-PowerTDFN

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