IPD110N12N3GATMA1
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| 產(chǎn)品型號(hào) | IPD110N12N3GATMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 我們努力為客戶提供 Infineon Technologies品牌的產(chǎn)品IPD110N12N3GATMA1 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 83μA (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4310 pF @ 60 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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