SPD08N50C3ATMA1
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產(chǎn)品型號 | SPD08N50C3ATMA1 |
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制造商 | Infineon Technologies |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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