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FDT86102LZ

FDT86102LZ
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產(chǎn)品型號 FDT86102LZ
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1490 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.2W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223-4
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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