TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Electronic Devices and圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | TPHR6503PL1,LQ |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 產(chǎn)品介紹 | UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ 我們努力為客戶提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的產(chǎn)品TPHR6503PL1,LQ 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.65mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 210W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5.75) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
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TPHR6503PL1,LQ是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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