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IPD80P03P4L07ATMA2

IPD80P03P4L07ATMA2
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產(chǎn)品型號(hào) IPD80P03P4L07ATMA2
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V Vgs (Max)+5V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5700 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)88W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3-11
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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