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TSM085P03CV RGG

TSM085P03CV RGG
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產品型號 TSM085P03CV RGG
制造商 Taiwan Semiconductor
產品介紹 MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3234 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-PDFN (3.1x3.1)
Package / Case8-PowerWDFN

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