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SPD30P06PGBTMA1

SPD30P06PGBTMA1
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產品型號 SPD30P06PGBTMA1
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 21.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1535 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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