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IAUC120N04S6L012ATMA1

IAUC120N04S6L012ATMA1
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產(chǎn)品型號 IAUC120N04S6L012ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 IAUC120N04S6L012ATMA1
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.21mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 60μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4832 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)115W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8
Package / Case8-PowerTDFN

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