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BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) BSC190N12NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.6A (Ta), 44A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 39A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 42μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 60 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)69W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-1
Package / Case8-PowerTDFN

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