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SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3
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產品型號 SI7655DN-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產品介紹 MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs225 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)4.8W (Ta), 57W (Tc) Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? 1212-8S
Package / CasePowerPAK? 1212-8S

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