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BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) BSC123N08NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 55A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.3mOhm @ 33A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 33μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870 pF @ 40 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 66W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-1
Package / Case8-PowerTDFN

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