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FDS86106

FDS86106
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產(chǎn)品型號(hào) FDS86106
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds208 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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