XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba Electronic Devices and圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | XPN9R614MC,L1XHQ |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON 我們努力為客戶提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的產(chǎn)品XPN9R614MC,L1XHQ 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 500μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 840mW (Ta), 100W (Tc) | Operating Temperature | 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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