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SQS460EN-T1_BE3

SQS460EN-T1_BE3
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產(chǎn)品型號 SQS460EN-T1_BE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds755 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)39W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? 1212-8
Package / CasePowerPAK? 1212-8

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