SI7315DN-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 | SI7315DN-T1-GE3 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315mOhm @ 2.4A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 75 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) | Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK? 1212-8 |
Package / Case | PowerPAK? 1212-8 |
SI7315DN-T1-GE3 相關(guān)的關(guān)鍵詞
SI7315DN-T1-GE3是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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