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IPN95R3K7P7ATMA1

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產(chǎn)品型號 IPN95R3K7P7ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 800mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 40μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds196 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)6W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-SOT223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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