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SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3
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產(chǎn)品型號(hào) SIS176LDN-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)70 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.9A (Ta), 42.3A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.9mOhm @ 10A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 35 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 39W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? 1212-8
Package / CasePowerPAK? 1212-8

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