IPD25N06S4L30ATMA2
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產(chǎn)品型號 | IPD25N06S4L30ATMA2 |
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制造商 | Infineon Technologies |
產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31 我們努力為客戶提供 Infineon Technologies品牌的產(chǎn)品IPD25N06S4L30ATMA2 最有競爭力的供應鏈服務,請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±16V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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