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TN2130K1-G

TN2130K1-G
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產(chǎn)品型號 TN2130K1-G
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85mA (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 120mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)360mW (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB (SOT23)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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