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RSQ015P10HZGTR

RSQ015P10HZGTR
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產(chǎn)品型號 RSQ015P10HZGTR
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)950mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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