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SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 SI4431CDY-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1006 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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