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TPN11006PL,LQ

TPN11006PL,LQ
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產品型號 TPN11006PL,LQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產品介紹 MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 200μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1625 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)610mW (Ta), 61W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-TSON Advance (3.1x3.1)
Package / Case8-PowerVDFN

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