SI5419DU-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 | SI5419DU-T1-GE3 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.6A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK? ChipFET? Single |
Package / Case | PowerPAK? ChipFET? Single |
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