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SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3
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產(chǎn)品型號(hào) SI1021R-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7 nC @ 15 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)250mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSC-75A
Package / CaseSC-75, SOT-416

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