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SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3
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產(chǎn)品型號 SI2307CDS-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs88mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds340 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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