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SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF
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產(chǎn)品型號 SSM6J507NU,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.4 nC @ 4.5 V Vgs (Max)+20V, -25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1150 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-UDFNB (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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