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SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF
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產(chǎn)品型號 SSM6J501NU,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.3mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.9 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2600 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package6-UDFNB (2x2)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad

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