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2N7002ET1G

2N7002ET1G
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產(chǎn)品型號(hào) 2N7002ET1G
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5Ohm @ 240mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.81 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26.7 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)300mW (Tj) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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