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HGTD6N50E1

HGTD6N50E1
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產(chǎn)品型號 HGTD6N50E1
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 HGTD6N650N-CHANNIGBT
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)- Current - Collector (Ic) (Max)-
Current - Collector Pulsed (Icm)- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic-
Power - Max- Switching Energy-
Input Type- Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-
Mounting Type- Package / Case-
Supplier Device Package-

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