FGB30N6S2D
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產(chǎn)品型號 | FGB30N6S2D |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Obsolete | IGBT Type | - |
---|---|---|---|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 108 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Power - Max | 167 W | Switching Energy | 55μJ (on), 100μJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 23 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 6ns/40ns | Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 46 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
FGB30N6S2D 相關(guān)的關(guān)鍵詞
FGB30N6S2D是一款高性能、可靠性強的單 IGBT
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