GT20N135SRA,S1E
Toshiba Electronic Devices and圖片僅供參考。
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產(chǎn)品型號(hào) | GT20N135SRA,S1E |
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制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | IGBT Type | - |
---|---|---|---|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1350 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Power - Max | 312 W | Switching Energy | -, 700μJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 185 nC |
Td (on/off) @ 25°C | - | Test Condition | 300V, 40A, 39Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
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