BIDW50N65T
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產(chǎn)品型號 | BIDW50N65T |
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制造商 | Bourns, Inc. |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | IGBT Type | Trench Field Stop |
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
Power - Max | 416 W | Switching Energy | 3mJ (on), 1.1mJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 123 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 37ns/125ns | Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 37.5 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247 |
BIDW50N65T 相關(guān)的關(guān)鍵詞
BIDW50N65T是一款高性能、可靠性強的單 IGBT
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