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HGTP10N50E1D

HGTP10N50E1D
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產(chǎn)品型號 HGTP10N50E1D
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V Current - Collector (Ic) (Max)17.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 20V, 17.5A
Power - Max75 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge19 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220

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