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RF1S25N06

RF1S25N06
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產(chǎn)品型號 RF1S25N06
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs47mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 20 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds975 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)72W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

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