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FDS4435BZ

FDS4435BZ
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產(chǎn)品型號(hào) FDS4435BZ
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1845 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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